2017년도 상반기 패턴웨이퍼 지원 프로그램 참여 모집 공고

2017년도 상반기 패턴웨이퍼 지원 프로그램 참여 모집 공고

KSIA 2017/01/04

 

http://www.ksia.or.kr/renewal/bbs/bbsView_popup.jsp?mgrId=6&bbsId=4564&cPage=1&cBlck=1&newWindow=1

종류 명칭 규격 상세 Spec 비고
Pattern
Bar
Type
Photo 300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width : 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm/ACL/SiON/BARC/PR
Mask Etch 300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm/ACL/SiON
Trench Etch 300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm (Ashing 및 Strip 완료)
SiN Depo 300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm/SiN 150Å
SiN Spacer
Etch
300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm/Trench와 Hole 양 측면에만
SiN 150Å 씩 잔존
◈ 2017년도 상반기 패턴웨이퍼 지원 프로그램 지원 Spec
○ 삼성전자(10Type)

종류 명칭 규격 상세 Spec 비고
Pattern
Hole
Type
Photo 300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width : 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm/ACL/SiON/BARC/PR
Mask Etch 300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm/ACL/SiON
Trench Etch 300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm (Ashing 및 Strip 완료)
SiN Depo 300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm/SiN 150Å
SiN Spacer
Etch
300mm
- Trench Width : 60nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Hole Width : 90nm + 5nm씩 ~ 200nm까지
- Bar (Active) Width: 500, 1,000 nm
- 단위 반복 패턴 크기 100 um x 5,000 um,
90도 Rotated Pattern 추가
- Si/SiO2 2,400 nm/Trench와 Hole 양 측면에만
SiN 150Å 씩 잔존

종류 명칭 규격 상세 Spec 비고
Pattern
Bar
Type
Bar_Standard 300mm - Pattern Size : Space/width : 40nm/40nm
- Si Trench Depth : 4,000Å
Bar_PR_Mask 300mm - Bar_Standard Pattern, Mask 상태
- Si/PE-TEOS/ACL/SiON/BARC/PR
Bar_No_Ashing 300mm - Bar_Standard Pattern, Etch까지만 진행
- Si/PE-TEOS/ACL
Bar_Gap Fill 300mm - Bar_Standard Pattern, SOD Gap Fill 상태
- Si Trench/Liner Ox/Liner Nit/SOD 5,500Å
Bar_Gap Fill-2 300mm
- Bar_Standard Pattern, Liner Ox and Liner
Ox/ Liner Nit
- Si Trench/Liner Ox/Liner Nit
Hole
Type
Hole_Standard 300mm - Pattern Size : Space/width : 80nm/80nm
- Hole Depth : 20,000Å
Hole_No_Ashing 300mm
- Pattern Size : Space/width : 80nm/80nm,
Etch까지만 진행
- Hole Depth : 20,000Å
Blanket
Blanket
Type
Blanket_Poly 300mm - Sub_Si / Ox 1,000Å / Poly 5,000Å
Blanket_Oxide 300mm - Sub_Si / Ox 1,000Å
Blanket_Nit 300mm - Sub_Si / Ox 10,000 / Nitride 1,000Å
Blanket_PR 300mm - Sub_Si / PR 27,000Å
Blanket_PR_Imp1 300mm - Sub_Si / PR 5,000Å / Boron Doping
: 5KeV, 5E13
Blanket_PR_Imp2 300mm - Sub_Si / PR 5,000Å / Phosphine Doping
: 20KeV, 1E14
○ SK하이닉스(13Type)

종류 명칭 규격 상세 Spec 비고
Blanket
Blanket
Type
Blanket_Poly 200mm - Sub_Si / Ox 1,000Å / Poly 2,000Å
Blanket_Oxide 200mm - Sub_Si / Ox 1,000Å
Blanket_Nit 200mm - Sub Si / Ox 7,500Å / Nitride 1,100Å
EPI 200mm - Sub Si / EPI 7.1um
Blanket_PR 200mm - 9500Å/16500Å/20000Å/25000Å/35000
(PR THK.)
Metal, Dielectric 200mm - Ti, TiN, Al, W, SiO2, SiN, SiON
○ 동부하이텍(6Type)