2017년 반도체 장비 재료 성능평가 사업 모집 공고

2017년 반도체 장비 재료 성능평가 사업 모집 공고

KSIA 2017/01/04

 

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 2017년도 반도체 장비·재료 성능평가사업 공고 품목 및 사양

 ○ 성능평가(장비 4건, 부분품 18건, 재료 9건)

분 과
대    상    품    목
Photo
부분품
i-Line 노광기
UV Lamp → LED 광원
노광장비 內
Reticle Particle 검사 Unit
Etch
부분품
Thick Metal Etch ESC Power Supply
EPD 진단시스템
Dual Zone Rocker Valve
장비
TSV
재료
신규 부품 코팅기술 YOG Coating
Diff
부분품
Water Vapor Generator
Main Disk
750w Lamp
T/F
부분품
Chucking Dual Zone ALN Heater
Dual Zone Heater
Heat Block
ESC
RPSC
C&C
장비
수소수 장비
Clean 설비의 산배기 유기성분 제거 Scrubber
부분품
Large Particle Counter(In-Line)
(CMO Slurry)
Wafer Lifter (200MM)
재료
Ceria Slurry
MI
장비
TSOM
부분품
e-Beam 설비 환경 제어 장치
e-Beam Simulation Program
Test
부분품
NAND WT CET
Wafer
재료
Super Flatness Wafer
Chem
재료
Cu Barrier Metal CMP용 Slurry
Post W CMP 세정액
PR
재료
Inorganic Photoresist
IMP용 KrF Nega PR
Gas
재료
10% GeH2/H4
Gas 전문 분석 기관 도입

○ 분과별 세부내용

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_Photo(2건)

대상품목
i-Line 노광기
UV Lamp->LED 광원
노광장비 內
Reticle Particle 검사 Unit
수요업체
S
 S
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• LED Intensity
• 조명 Uniformity
• Size별 P/C 검출력
• Laser 출력안정성
양산성능
• LED 교체수명 > 1.5년
• CD Uniformity
• 조도 Intensity
• Life time > 3year
• 검출력 및 해상력
• PC size <= 5um
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_Etch(5건)

대상품목
Thick Metal Etch ESC Power Supply
Dual Zone Rocker Valve
수요업체
D
H
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• Sticking free (Sticking level 0)
• No Plasma Damage
• 무게 및 Size 축소에 따른 교체시 Backup Time 감소 여부 (32Kg / 520x160x160 → 8Kg / 305x160x120)
• Trouble Shooting시 M/C 전체 Down → 독립 Down 여부
  (Actulator 1개(PM/TM) → 2개(PM/TM)로  변경)
• 구동 Motion 변경으로 Particle 및 MPH 개선 여부
• Life Time 개선 여부
양산성능
• De chucking time < 15sec/wf
• 장비 Backup Time 50%↓
• Particle 개선 50%↓
• MPH 10%↑
• Life Time 50% ↑
• Yield 동등 이상
    ·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

대상품목
신규 부품 코팅기술
YOF Coating
TSV
EPD 진단시스템
수요업체
S
S
S
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• 150um이상 Coating 가능
• Uniformity ≤1%
• Etch rate
  1~10um/min
• Profile 87~90도
• Wafer Center/ Middle/ Edge 부위의 Plasma 산포를 동시에 Monitor
양산성능
• Fluorine, HBr, C12 Gas에 대한 표면 상태 변화 無
• UPH 20~30매 /Hr
• MTBF :1000Hr
• Yield :동등수준
• View Port Grid가 있는 상태에서 Monitor 가능
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_Diff(3건)

대상품목
Water Vapor Generator
Main Disk
750w Lamp
수요업체
H
H
D
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• Original제품에 준하는 안전성능 확보 및
  Process 성능 확보
• Design Accuracy
• Temp Control ±1℃@Pyrometer
• Wafer T/C 기준 Temp Profile @ Profile기준만족
• 표면 Sic Coating 두께 및 Uniformity
 @ Original제품기준 동일
• Assy Bulb, Fused 750Watt Quartz Tungsten
• 재질 : Quartz Tungsten
• RTP MOD1 750w Lamp
• Process Chamber Temp Control용 Lamp
• 저항 : 1.3옴
• 필라멘트 단선 및 Sagging 발생 없음 및 석영관의 변형이 없어야 함
• Lamp 장찰 후 Temp Control 및 Power Check
양산성능
• Original제품에 준하는 안전성능 확보 및
  Process 성능 확보
• Non Pattern wafer 평가 (두께, Uniformity , P/T 평가)
• Pattern Wafer 평가 (두께, Uniformity, P/T 특성 평가)
• PM주기(3000Batch)내 P/T안정성
• PM주기(3000Batch) Dep 세정후 Sic 표면 Coaing 안정성
• 대상공정 : RTP
• Non Pattern Wafer 평가 : RTO, RS, Particle, 산포 평가
• 고온에서의 Life Time 평가
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_T/F(5건)

대상품목
Heater Block
ESC
수요업체
D
D
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• Assy, HTR BLK, 2-3Kw, 6Forks, Wequel
• 재질: AL(6061)+Heat Coil
• Inner/Outer temp에 대해 auto
• Heater 전체 Resistivity 및 입력전압 Window test control(300~500도 Control 가능)
• Heater Temp Map Profile
• 원형, 지름 736mm
• 단위면적당 Resistivity 및 Leakage Current확인
• 상세 사양은 채택 후 검토
• LASED, PEDESTAL, 200MM SNNF SML FLT W/WT
• 재질: AL(6061)+AL2O3(Ceramic) Coated (사용온도: 200~700도)
• 원형 지름: 197.5 mm
• 용사 Coating, Bi-polar Type
• 용도: 정전기를 이용한 wafer chucking
• Al 재질에 uniform한 AL2O3 Coating으로 wafer chucking 및 cooling line path 구성 필요
양산성능
• Wafer 막질 및 Stress Control 가능
• 대상공정 : PE-CVD
• Non Pattern wafer 평가: 두께, 산포, 특성 평가
• 고온에서의 life time 평가
• Wafer 막질 및 Stress Control 가능
• 대상공정 : HDP-CVD
• Non Pattern wafer 평가: 두께, 산포, 특성 평가
• 고온에서의 life time 평가
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

대상품목
RPSC
(Remote Plasma Source Ceramics)
Dual Zone Heater
수요업체
H
S
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• Higher Performance & Reliability
• Easier Maintenance
• Weight & Size Reduction
• Ignition/Particle Issue Improvement
• Cost Efficiency(NF3절감)
• Temp Control < 1℃
• ControlTemp≤ 600℃
• Pocket Type(Sliding방지 )
• 각 Heater 권선별 Control 가능
양산성능
• 대상공정 : PE-CVD, SA-CVD
• Non Pattern wafer 평가: 두께, 산포, Defect 특성 평가
• 고온에서의 life time 평가
• FDC Control
• MTBF : 25000Hr
• Yield:동등수준
• InWaferUniformity<1%

·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

대상품목
Chucking Dual Zone ALN Heater
수요업체
H
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• Center/Edge Temp 독립 Control
• 온도 : 300 ~ 650도 Control 가능
• Heater Temp Map Profile
• 단위면적당 Resistivity 및 Leakage Current 확인
• Heater 전체 Resistivity 및 입력전압 Window test
• Innervs Outer간 Temp 차이에 의한 Heater 강성평가
양산성능
• 대상공정 : PE-CVD, SA-CVD
• Non Pattern wafer 평가: 두께, 산포, 특성 평가
• 고온에서의 life time 평가
• Wafer 막질 및 Stress Control 가능

·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_C&C(5건)

대상품목
Wafer Lifter (200MM)
수소수 장비개발
(16년 과제 연계)
수요업체
D
H
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• PEEK 재질
• Normal Pitch & Half Pitch
• Used Chemical : DHF 100:1 & SC-2
• Used Temperature : RT
• Metal Impurity(VPD) : < 1.0E+10 @12ea 양이온
• Particle : < 20ea @016um
• Defect Inspection : DM Pass 기준
• Wafer  수직도 (Teaching Pass)
• Sample 제공 가능
• 수소수 농도 1.2~1.6mg/L@20℃
• 수소수 유량 25L/min (0.2~0.3Mpa)
• 암모니아 농도 20~50mg/L (40~63uS·cm)
• PH값 10.3
양산성능
• Metal Impurity(VPD) : < 1.0E+10 @12ea 양이온,  3회 Pass
• Particle : < 20ea @016um, 5회 Pass
• Defect Inspection : DM Pass 기준,  10Lot  Pass
• Life Time : ＞ 2year
• 제품 신뢰성 : 동일한 규격 제품 공급
• 수소수+NH4OH 점가 PH10.3 유지
  상태에서 25LPM 공급평가
  PH vs ORP (10.3±0.1, 750±50mV)
• 수소수 농도 유지 ≥1.2mg/L
• Metal Impurity
  (atoma/㎠ ＜1E+11"ICPMS")
• Particle 평가(Bare 44nm≤50ea
 @수소수30"+MP45W)
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

대상품목
CLEAN 설비의 산배기 유기성분 제거 SCRUBBER
Large Particle Counter (In-line)
 (CMP Slurry)
Ceria Slurry
수요업체
S
S
D
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• Fan blowing Press > 86.67 mmH2O
• Sound level < 76.5 dB
• 측정범위 : 0.5 ㎛ ~ 400 ㎛ (Dilution)
• Count : 9,000 ~ 900,000/ml
• NU(%) User : 기준 충족
• Ox RR(Å/min) : User 기준 충족
• Ni RR(Å/min) : User 기준 충족
양산성능
• IPA 성분제거율 >90%
• 공업용수 사용량 < 0.5 ton/hour
• Analysis time : < 15mins
• Dishing : User 기준 충족
• CMP Scratch : User 기준 충족
• Residue User : 기준 충족
• Particle(ea) : User 기준 충족

·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_MI(3건)

대상품목
e-Beam 설비 환경 제어 장치
TSOM
(Through Focus Scanning Optical Microscope)
e-Beam Simulation Program
(Tool)
수요업체
S
H
H
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• 진동제어, 전자기파 차폐
• 반도체 In-Cell 계측 TSOM 기술
• 계측 라이브러리 구축
• 탄성 / 비탄성 전자 산란 시뮬레이션
  (using Monte-carlo method)
• SEM 장비의 Optic과 반도체 소자 구조의 3D 모델링
• Electron Energy Filtering
양산성능
• 진동제어

• 전자기파 차폐

• HAR Pattern 계측 평가
• S/W 및 Algorithm 적합성 평가
• 3 차원 구조 모델 내부의 E-Beam Charging 시뮬레이션
• 전자빔과 외부 전극에 의해 생성되는 전계 시뮬레이션
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_Test(1건)

대상품목
NAND Wafer Test Cost Effective Tester
수요업체
H
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• NAND Wafer Test (WT1H,WT2C)
• NAND RA Solution 가능
• 480mm WMB 구현 가능 Connector Solution
양산성능
• Yield Correlation (2%이내)
• Test 효율 향상 (약20%)
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_Wafer(1건)

대상품목
Super Flatness Wafer
수요업체
S
공동
 /
개별
인증 SPEC.
기초성능
• Total Thickness Variation : 0.05um
• Edge Site Flatness : <20 nm
• Site Flatness Max < 30nm
양산성능
• No Overlay Issue (<DoF)
• 생산성 > 94%
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_Chemical(2건)

대상품목
Cu Barrier Metal CMP용 Slurry
Post W CMP 세정액
수요업체
H
S
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• Ox. R/R : >1100Å/min
• TaN R/R : 600±30Å/min
• Cu R/R : 400±20Å/min
• Uniformity : <1.5%
• Corrosion Free
• Slurry Abrasive 제거
• Inorganic 세정제
• 세정액 구성성분 재흡착 방지
  (ex.부식방지제, 유기산 등)
• W / TEOS E/R < 1Å/min
양산성능
• Cu Corrosion Free
• No Induced PWI Defect
• WtW R/R Rang <20%
• 환경안전 규제물질 Free
• 세정액 內 Metallic Impurity Free
  (< 10ppt)
• HVM Plant 구축 가능 기간 < 6개월
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_PR(2건)

대상품목
Inorganic Photoresist
IMP용 KrF Nega PR
수요업체
S
H
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• DUV or EUV Lithography
• Thickness< 300A
• Film Uniformity < 2nm
• DOF 250nm @T1y nm Critical Imp Layer
양산성능
• Rework-Possible Metallic cross-contamination <1E10 atom/cm2
• DOF 300nm @T1y nm Critical Imp Layer
·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)

◆ 평가품목 및 평가항목 도출_Gas(2건)

대상품목
10% GeH4/H2
Gas 전문 분석 기관 도임
수요업체
H
S
공동
 / 개별
인증 SPEC.
기초성능
• Purity, Impurity, Concentration
• Fluorine Gas Metal 및 Impurity < 0.1ppm
• Insert Gas ion 분석 : ~수 ppb –Foramte/Acetate/P04-
양산성능
• 단위 공정 평가
  Thickness, Range, Particle
• 환경안전 인증
• 분석 Capa :>10매/일
• Ion/Metal/Differential Spectrum :<0.1ppm
 ·수요업체 : D(동부하이텍), S(삼성전자), H(SK하이닉스)