초고속으로 동작가능한 차세대 메모리 소자 구현-페로브스카이트 소재 기반 고성능 메모리 소자 등록일2021.06.14. 초고속으로 동작가능한 차세대 메모리 소자 구현 페로브스카이트 소재 기반 고성능 메모리 소자 □ 한국연구재단(이사장 노정혜)은 이장식 교수 (포항공과대학교) 연구팀이 할로겐화물 페로브스카이트를 이용하여 초고속으로 동작할 수 있는 차세대 메모리인 저항변화메모리* 소자를 개발했다고 밝혔다. *저항변화메모리: 전원이 꺼지더라도 저장된 정보가 그대로 유지되는 비휘발성 메모리 소자의 일종으로 전압에 따라 저항변화층의 저항 상태가 고저항 상태에서 저 저항상태로, 또는 저저항 상태에서 고저항 상태로 바뀌는 현상을 이용한 메모리 소자. □ 엄청난 양의 다양한 정보의 교환이 활발해지고 인공지능, 자율주행자..